產品詳情
2012年，在金融都市-上海，數位行業精英共襄盛舉，立志做中國優質的金屬材料供應商，成立了上海錦町新材料科技有限公司。
我們的愿景：致力于做以客戶需求為導向的整條制造供應鏈上的解決方案的系統供應商.針對特殊應用及個性化構件共同制定解決方案，從而選擇合適的材料并確定訂制原材料組合及制造流程。
我們提供金屬加工領域的一站式技能知識服務，沖壓，CNC DIECASTING,電鍍，焊接。
通過資源整合與共享，公司為眾多知名汽車電子連接器,傳感器,繼電器，控制器等生產商提供各種高性能銅合金，配套分條加工，異型材加工，表面處理，角料回收等一站式服務，同時聯合知名高校進行新材料應用研發，為新興產業的智造升級提供整體解決方案,公司擁有的“高.精.專”服務團隊，以“匠心智造,你我同行”為宗旨,
以市場需求為導向,深入行業把握產品，為企業以及行業前沿企業提供價值產品和服務。
公司生產的材料有異型銅帶、異形銅帶、U形銅帶、凹形銅帶、CuFe10（CFA90）、CuFe5（CFA95）、C50710(CuSn2Ni0.3P/MF202)、C50715(CuSn2Fe0.1P/KLF5)、C15100(CuZr0.1)、C19010(CuNiSi/STOL76)、C18080(CuCrAgFeTiSi)、C18070(CuCrSiTi)、C18400/C18150(CuCrZr)、C14415(CuSn0.15/C14410)、C19400（CuFe2P）、C51100（CuSn4）、C70250(CuNi3Si)、C10300(SE-Cu/Cu-HCP（IACS
98%）T1、C10300(SE-Cu/Cu-PHC(IACS
100)/T1、C11000(E-Cu/Cu-ETP/C1100/T2)、C72700（CuNi9Sn6）、C72900（CuNi15Sn8）、Cu-01S、Cu01、FeNi42（4J42/Nilo42）、C64775（C7025-Sn）、C12000(SW-Cu/Cu-DLP)/C1201/TP1、C12200(SF-Cu/Cu-DHP)/C1220/TP2、C10100(OF-Cu/Cu-OFE)/C1011/TU2、C51100(CuSn4/C5110)、C51000(CuSn5/C5100)、C19002(CuNiSi)、C70260(CuNi2Si)、C19040(CuSn1.2Ni0.8P0.07/CAC5)、C19025(NB109)、C26000(CuZn30/C2600)、C26800(CuZn33/C2680)、C27200(CuZn37/C2720)
材料介紹
該材料顯著特點是：高強度、高導電、高精度和高的抗軟化溫度，又兼具適宜的加工性能，電鍍釬焊性能。
主要用于集成電路和電子分立器件的制作,電子工業接插件等。
標準
|
GB/T |
DIN |
EN |
ASTM |
JIS |
|
QFe2.5 |
CuFe2P 2.1310 |
CuFe2P CW107C |
C19400 |
C19400 |
化學成分
|
Cu |
余量 |
|
Fe |
2.1-2.6 |
|
Zn |
0.05-0.2 |
|
P |
0.015-0.15 |
物理特性
|
密度（比重）（g/cm3） |
8.9 |
|
導電率IACS%（20℃）} |
60min |
|
彈性模量（KN/mm2） |
121 |
|
熱傳導率{W/(m*K)} |
280 |
|
熱膨脹系數（ 10-6/℃ 20/℃ ~100/℃） |
17.7 |
物理性能
|
狀態 |
抗拉強度 |
屈服強度 |
延伸率 A50 |
硬度 |
彎曲試驗 |
|
|
90°（R/T） |
||||||
|
（Rm，MPa） |
（Rp0.2，MPa） |
（%） |
（HV） |
GW |
BW |
|
|
R300 |
300-340 |
240max |
20min |
80-100 |
0 |
0 |
|
R340 |
340-390 |
240min |
10min |
100-120 |
0 |
0 |
|
R370 |
370-430 |
330min |
6min |
120-140 |
0 |
0 |
|
R420 |
420-480 |
380min |
3min |
130-150 |
0.5 |
0.5 |
|
R470 |
470-530 |
440min |
4min |
140-160 |
0.5 |
0.5 |
|
R530 |
530-570 |
470min |
5min |
150-170 |
1 |
1 |
材料應用
集成電路和電子分立器件的制作,電子工業接插件等
電鍍服務(材料+電鍍)
|
電鍍項目 |
種類 |
鍍層厚度 (um) |
打底厚度(um) |
裸材厚度 （mm） |
裸材寬度 （mm） |
|
電鍍錫Sn種類 |
亮錫 （Bright tin） |
1.0-10.0 |
Ni/Cu 1.0-2.5 |
0.05-3 |
8-110 |
|
霧錫 （Matte tin） |
1.0-10.0 |
Ni/Cu 1.0-2.5 |
0.05-3 |
8-110 |
|
|
回流鍍錫 （reflow tin） |
0.8-2.5 |
Cu ＜1.5 |
0.1-1.0 |
9.0-610.0 |
|
|
熱浸鍍錫 （Hot Dip Tin） |
1.0-20.0 |
/ |
0.2-1.2 |
12.0-330.0 |
|
|
電鍍鎳Ni （霧、亮） |
電鍍鎳 （nickel） |
7.0max |
Cu ＜1.5 |
0.05-3.0 |
＜250.0 |
|
電鍍銀 Ag |
電鍍銀 （silver） |
0.5-2.0 |
Ni ＜1.5 |
0.05-3.0 |
＜150.0 |
|
條鍍金Au/銀Ag |
選鍍金/銀 （gold/silver） |
0.5-2.0 |
Ni＜1.5 |
0.05-1.0 |
8.0-150.0 |
分條服務
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厚度（mm） |
寬度（mm） |
材料種類 |
|
0.005-0.8 |
0.8-620 |
不銹鋼，銅合金 |
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0.05-1.0 |
0.8-620 |
鎳、鋁帶 |
|
0.01-0.8 |
4.0-620 |
硅鋼，非晶帶 |
行業相關信息
據外媒報道，功率電子器件技術L導者Eggtronic宣布，推出混合無線交流電源專利技術E2WATT，可同時作為交流電源和高速無線傳輸系統中的發射器，從而確保能量效率和能量傳輸距離，但其成本低于傳統無線技術。
（圖片來源：eetimes）
傳統Qi無線設備的傳輸距離通常為5mm，max傳輸功率通常max為30W。E2WATT技術可在超過其6倍的距離（可達40mm）內，提供高達300W的功率，這是電感標準的真正突破。
Eggtronic執行官兼創始人Igor Spinella表示，E2WATT專有技術由GaN半橋和dsPIC33微控制器支持，將傳統電源適配器和Qi無線發射器結合在一起，從而提G效率。
E2WATT?無線技術直接由交流電源供電，無需外部電源。這種單級混合解決方案的效率顯著提高，max可達 95%。
E2WATT采用了Navitas半導體公司的GaN技術，因為硅無法提供足夠的開關頻率。GaNFast中包括GaN開關（一種場效應晶體管），將單片集成模擬驅動電路和數字邏輯電路集成在同一芯片上，作為GaN功率器件。GaNFast電源IC的額定頻率為2MHz。運行速度快有助于減少快速充電系統的尺寸和功率轉換成本。
Microchip的16位微控制器業務部副總裁Joe
Thomsen表示： “Microchip
Technology的dsPIC33微控制器具有強大的DSP內核、高速ADC和高分辨率PWM，可以支持
Eggtronic開發的專有系統架構，從而T升性能和充電距離。我們與
Eggtronic合作開發的發射器設計可與特定的Qi標準兼容，同時在功能和性能方面具有高度差異化。”
這些特性有助于降D解決方案的總成本、提高性能和可用性，以及減少二氧化碳排放，提高能源可持續性。此外，受益于專有的能量接收技術，E2WATT允許接收器溫度顯著下降。對現代智能手機和筆記本電腦來說，這將有助于提高充電性能，比如充電速度（與溫度密切相關）和用戶體驗。
無線交流電源E2WATT帶來了全新場景。Eggtronic將為全球若干Z負盛名的公司開發消費、工業和汽車解決方案，同時推出基于該技術的多種零售產品。
來源：上海錦町新材料科技整理自網絡
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