主營產品：廢舊物資回收公司，二手機電設備回收，廠房酒店回收拆除廠家
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| 詳細參數 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌/廠家 | 其他 | 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | 其他 | 反向恢復時間 (trr) | 其他 |
蘇 州本地高價回收二手英飛凌三菱IGBT模塊廠家，電話：13381583360
本公司長期回收IGBT模塊、回收新舊英飛凌三菱西門康IGBT模塊，IGBT是以GTR為主導元件，MOSFET為驅動元件的達林頓結構的復合器件。其外部有三個電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發射極。
在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現對IGBT導通/關斷/阻斷狀態的控制：
1、當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關斷狀態；
2、當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態；
3、當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：
1)若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態；
2)若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態（正常工作）。此時，空穴從P 區注入到N基區進行電導調制，減少N基區電阻RN的值，使IGBT通態壓降降低。
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